ตอนนี้เรากำลังจะได้เห็นความจุของหน่วยความจำแบบแฟลชที่จะเพิ่มขึ้นและมีราคาถูกลงด้วยเทคโนโลยีในการผลิตแบบใหม่ที่เล็กลง ล่าสุดทางบริษัทไมครอนเทคโนโลยีหนึ่งในผู้นำการผลิตหน่วยความจำแบบแฟลชได้เริ่มนำกระบวนการผลิตหน่วยความจำด้วยเทคโนโลยี 34 นาโนเมตรมาใช้งานแล้ว (ในภาพเป็นการแสดงหน่วยความจำแฟลชความจุ 16GB เทียบกับปลายดินสอ)
และการนำกระบวนการ 34 นาโนเมตรมาใช้ในครั้งนี้ไม่ใช่เป็นการนำมาผลิตเป็นหน่วยความจำเฉพาะรุ่นเท่านั้น แต่เป็นการผลิตในระดับแมส หรือเป็นการผลิตในระดับที่ใช้สำหรับการบริโภคของผู้ใช้ทั่วไปเลยทีเดียว ซึ่งทำเรามีโอกาสได้เห็นหน่วยความจำอย่างแฟลชไดร์ฟ หรือการ์ดหน่วยความจำชนิดต่างๆ จะมีมาตรฐานขั้นต้นกันที่ 16GB ในเร็วๆ นี้ และก็จะมีหน่วยความจำแฟลชความจุขนาด 32GB และ 64GB ออกมาจำหน่ายกันมากขึ้นด้วย
นอกจากเรื่องของความจุที่เพิ่มขึ้นแล้ว ในเรื่องของความเร็วในการทำงานก็จะมีการพัฒนาให้เพิ่มขึ้นเช่นกัน เพราะการที่หน่วยความจำมีขนาดใหญ่ขึ้นก็หมายความว่ามันจะมีโอกาสที่ต้องรองรับไฟล์ที่มีขนาดใหญ่ตามไปด้วย ดังนั้นการพัฒนาแบนด์วิดของตัวหน่วยความจำแฟลชก็มีความสำคัญเช่นกัน เพราะถ้ามีความจุเพิ่มขึ้นแต่ความเร็วในการทำงานไม่เพิ่มขึ้นตามไปด่้วยก็อาจจะเป็นอุปสรรค์ที่ทำให้ตลาดไม่เติบโตเท่าที่ควร
บทความที่เกี่ยวข้อง
|
|
|
Reader:1418
