Intel และ Micron ประกาศความพร้อมในการผลิตหน่วยความจำ NAND Flash ด้วยเทคโนโลยี 25 นาโนเมตร

Intel และ Micron ประกาศความพร้อมในการผลิตหน่วยความจำ NAND Flash ด้วยเทคโนโลยี 25 นาโนเมตร

Intel และ Micron ได้ประกาศว่าตอนนี้มีความพร้อมแล้วที่จะทำการผลิตหน่วยความจำแบบ NAND Flash ด้วยเทคโนโลยี 25 นาโนเมตร โดยจะเริ่มทำการผลิตได้ในราวๆ ไตรมาสที่สองของปี 2010 เพื่อแสดงความเป็นผู้นำในการผลิตหน่วยความจำแบบ NAND Flash

February 2nd, 2010 by Editor 

บริษัทไมครอนผลิตหน่วยความจำแฟลชด้วยเทคโนโลยี 34 นาโนเมตร

บริษัทไมครอนผลิตหน่วยความจำแฟลชด้วยเทคโนโลยี 34 นาโนเมตร

ตอนนี้เรากำลังจะได้เห็นความจุของหน่วยความจำแบบแฟลชที่จะเพิ่มขึ้นและมีราคาถูกลงด้วยเทคโนโลยีในการผลิตแบบใหม่ที่เล็กลง ล่าสุดทางบริษัทไมครอนเทคโนโลยีหนึ่งในผู้นำการผลิตหน่วยความจำแบบแฟลชได้เริ่มนำกระบวนการผลิตหน่วยความจำด้วยเทคโนโลยี 34 นาโนเมตรมาใช้งานแล้ว (ในภาพเป็นการแสดงหน่วยความจำแฟลชความจุ 16GB เทียบกับปลายดินสอ)

July 1st, 2009 by Editor 

ค้นหาข้อมูล

RSS QuickPC : Games

RSS QuickPC : IT-News

Meta